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            提升磁控濺射靶材利用率的兩種工藝方法

            發布時間:2024-01-25 22:40:21 瀏覽次數 :

            磁控濺射技術是目前最重要的工業化大面積真空鍍膜技術之一,與其他的濺射鍍膜相比,磁控濺射技術具有高速、低溫、低損傷的優點。一般這種濺射方法被稱為低溫高速濺射法,但是磁控濺射法也有很多缺點,例如濺射中不均勻沖蝕造成的濺射靶材利用率低的問題,所以如何優化濺射技術提高靶材利用率就成為了大家關注的問題。對于提升鉻靶、鋯靶等磁控濺射靶材利用率的工藝技術,凱澤金屬分享如下:

            1、優化磁控陰極結構

            優化磁控陰極結構,就是通過對磁鋼進行恰當切削 ,其將中間磁鋼形狀進行改變 ,讓磁鋼變為端頭向中間收窄,而兩側磁鋼進行單邊切削,擴大磁場的范圍進而提高了靶的利用率。這種方式可以使得靶材利用率達到40%-50%。

            2、分流設計法

            分流設計法就是在靶材跟磁極之間放置一定形狀的鐵磁體墊片,這就會使得靶面附近的磁場分布更均勻,這樣不僅可以使得整個噴濺過程更均勻,而且還可以使得靶材的利用率提高到86%,也會在一定程度上延長靶材的壽命。

            靶材

            動態的方法就是動態的變換靶面閉合磁場的分布,從而改變靶面的等離子刻蝕區,以提高靶材的利用率與薄膜的穩定性。一般采用的方法就是在磁體結構下加一個運動機構,電機帶著磁體做往復運動,增大刻蝕面積,并且可以使不同靶材在鍍膜時都得到最佳的性能。

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