磁控濺射技術是目前最重要的工業(yè)化大面積真空鍍膜技術之一，與其他的濺射鍍膜相比，磁控濺射技術具有高速、低溫、低損傷的優(yōu)點。一般這種濺射方法被稱為低溫高速濺射法，但是磁控濺射法也有很多缺點，例如濺射中不均勻沖蝕造成的濺射靶材利用率低的問題，所以如何優(yōu)化濺射技術提高靶材利用率就成為了大家關注的問題。對于提升鉻靶、鋯靶等磁控濺射靶材利用率的工藝技術，凱澤金屬分享如下：
1、優(yōu)化磁控陰極結構
優(yōu)化磁控陰極結構，就是通過對磁鋼進行恰當切削 ，其將中間磁鋼形狀進行改變 ，讓磁鋼變?yōu)槎祟^向中間收窄，而兩側磁鋼進行單邊切削，擴大磁場的范圍進而提高了靶的利用率。這種方式可以使得靶材利用率達到40%-50%。
2、分流設計法
分流設計法就是在靶材跟磁極之間放置一定形狀的鐵磁體墊片，這就會使得靶面附近的磁場分布更均勻，這樣不僅可以使得整個噴濺過程更均勻，而且還可以使得靶材的利用率提高到86%，也會在一定程度上延長靶材的壽命。
動態(tài)的方法就是動態(tài)的變換靶面閉合磁場的分布，從而改變靶面的等離子刻蝕區(qū)，以提高靶材的利用率與薄膜的穩(wěn)定性。一般采用的方法就是在磁體結構下加一個運動機構，電機帶著磁體做往復運動，增大刻蝕面積，并且可以使不同靶材在鍍膜時都得到最佳的性能。
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