以下凱澤金屬是關(guān)于真空鍍膜用鈦靶材的全面解析,涵蓋其核心特性、應(yīng)用場景及與其他金屬靶材的對比:
1、定義
真空鍍膜用鈦靶材是通過物理氣相沉積(PVD)或磁控濺射工藝,在真空環(huán)境下將鈦原子沉積到基材表面的高純度金屬材料(純度≥99.9%),用于制備功能性薄膜(如耐磨層、導(dǎo)電層、光學(xué)膜等)。
2、性能特點(diǎn)
特性 | 技術(shù)指標(biāo) | 功能優(yōu)勢 |
純度 | ≥99.9%(3N級),特殊場景需≥99.999%(5N) | 減少雜質(zhì)引起的膜層缺陷 |
密度 | ≥4.5 g/cm3(理論密度4.506 g/cm3) | 提高濺射速率和膜層致密性 |
晶粒尺寸 | ≤50 μm(EBM工藝可達(dá)≤20 μm) | 確保膜厚均勻性(偏差<±3%) |
導(dǎo)熱率 | 21.9 W/(m·K)(20℃時(shí)) | 支持高功率濺射(10-15 kW) |
氧含量 | <500 ppm(光學(xué)級要求<100 ppm) | 防止膜層氧化變色 |
3、常用材質(zhì)牌號
標(biāo)準(zhǔn)體系 | 牌號 | 純度 | 典型應(yīng)用場景 |
ASTM B348 | Grade 1 | 99.9% | 工具鍍硬質(zhì)涂層(TiN) |
GB/T 3620.1 | TA1 | 99.9% | 手機(jī)蓋板防指紋膜 |
JIS H 4650 | TP340 | 99.8% | 汽車輪轂裝飾鍍層 |
高純級 | Ti-5N | 99.999% | 半導(dǎo)體金屬化層(90 nm節(jié)點(diǎn)) |
4、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)類型 | 標(biāo)準(zhǔn)編號 | 核心要求 |
國際標(biāo)準(zhǔn) | ASTM F2884 | 濺射靶材顯微組織(晶粒度≤ASTM 6級) |
中國標(biāo)準(zhǔn) | GB/T 38976-2020 | 高純鈦靶材雜質(zhì)元素總量≤0.01% |
行業(yè)規(guī)范 | SEMI F47-0708 | 半導(dǎo)體用靶材電阻率≤50 μΩ·cm |
5、應(yīng)用領(lǐng)域
行業(yè) | 具體應(yīng)用 | 膜層性能要求 |
光學(xué)器件 | 增透膜(AR)、反射鏡 | 可見光波段透過率≥99.5% |
半導(dǎo)體 | 阻擋層(Cu/Ti/SiO?堆疊) | 臺階覆蓋率≥95%(0.13μm溝槽) |
工具涂層 | TiN/TiAlN超硬涂層 | 硬度≥2000 HV |
消費(fèi)電子 | 手機(jī)中框PVD鍍膜 | 耐磨性(Taber測試≥5000次) |
6、與其他金屬靶材的區(qū)別
參數(shù) | 鈦靶材 | 鎳靶材 | 鋯靶材 | 鉭靶材 | 鈮靶材 |
濺射率 | 0.6 (Ar+ 500eV) | 1.1 | 0.5 | 0.4 | 0.5 |
熔點(diǎn)(℃) | 1668 | 1455 | 1852 | 3017 | 2477 |
電阻率(μΩ·cm) | 42 | 6.9 | 40 | 13.5 | 15.2 |
成本(元/kg) | 800-1500 | 200-400 | 2000-3000 | 5000-8000 | 3000-5000 |
核心應(yīng)用 | 硬質(zhì)涂層、導(dǎo)電層 | 磁性薄膜 | 核反應(yīng)堆防腐層 | 高K介質(zhì)層 | 超導(dǎo)薄膜 |
7、選購方法
參數(shù)匹配:
根據(jù)鍍膜設(shè)備陰極類型選擇形狀(管靶/板靶/旋轉(zhuǎn)靶)
膜層電阻要求≤10 Ω/□時(shí)需選擇5N級高純靶材
質(zhì)量驗(yàn)證:
要求供應(yīng)商提供 GDMS報(bào)告(確保Fe<50 ppm、C<100 ppm)
使用 EBSD檢測 晶粒取向((002)面占比≥60%可提升濺射效率20%)
供應(yīng)商評估:
優(yōu)先選擇具有 EBM(電子束熔煉)+熱等靜壓(HIP) 工藝的廠家
核查是否通過 ISO 9001 和 IATF 16949 認(rèn)證
8、注意事項(xiàng)
儲存管理:
真空包裝需在濕度<40%環(huán)境下保存,開封后需在72小時(shí)內(nèi)完成安裝
工藝適配:
使用 中頻電源(40 kHz) 時(shí),靶材厚度應(yīng)≥6mm以防電弧擊穿
安全防護(hù):
鈦粉塵爆炸下限為45 g/m3,加工區(qū)需配置 ATEX防爆系統(tǒng)
報(bào)廢標(biāo)準(zhǔn):
當(dāng)靶材表面出現(xiàn) >3mm深度的侵蝕坑時(shí),膜層均勻性會下降30%以上,需及時(shí)更換
鈦靶材因其優(yōu)異的綜合性能(性價(jià)比、成膜質(zhì)量、工藝適應(yīng)性),占據(jù)真空鍍膜靶材市場約35%的份額(2023年數(shù)據(jù))。相較于鉭、鈮等稀有金屬靶材,鈦靶的濺射速率快20-50%,且成本僅為1/3-1/5。在精密光學(xué)鍍膜中,需選用EBM工藝制備的(002)擇優(yōu)取向靶材,配合離子束輔助沉積(IBAD),可將膜層表面粗糙度控制在0.5 nm以下,滿足激光陀螺儀等超精密器件的需求。