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            鉻靶材鉻靶塊等高純鉻靶的發展情況

            發布時間:2021-05-26 22:47:20 瀏覽次數 :

            高純鉻靶的目標晶粒尺寸和分布:通常,靶材材料具有多晶結構,并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的數量級上。對于相同組成的靶材,細粒靶材的濺射速率比粗粒高純度鉻靶材的濺射速率快,而晶粒尺寸較小的靶材具有更均勻的沉積膜厚度分布。

            通過真空熔融法制造的靶材可以確保塊中沒有孔,但是通過粉末冶金法制造的高純鉻靶可能包含一定數量的孔。 孔的存在會在濺射過程中引起異常放電,從而導致雜質顆粒。 另外,由于其密度低,帶孔的目標在操作,運輸,安裝和操作過程中很容易破碎。

            打孔鉻靶

            鉻靶廠家告訴你,鉻靶靶材的加工工藝:用于集成電路制造的濺射靶材的加工技術主要包括熔煉,均質化,壓力加工和機械加工。 在嚴格控制靶材純度的基礎上,鉻靶材,鈮靶材和鈦鋁靶材可以通過優化壓力處理工藝,熱處理條件和機械加工條件來調節靶材的晶粒取向和晶粒尺寸。

            高純鉻靶的靶材雜質控制:如果靶材中的夾雜物過多,則在濺射過程中晶圓上可能會形成顆粒,導致互連短路或斷開,嚴重影響性能。 高純鉻靶中的大多數夾雜物是在冶煉和鑄造過程中形成的,主要由氧化物組成,但也包括氮化物,碳化物,氫化物,硫化物,硅化物等,因此應在鑄造過程中使用 。高純鉻靶鑄造前,應將熔體表面的氧化物和其他爐渣清除。 通常,它們在真空或無氧環境中熔融并澆鑄。 市場上鉻靶價格也有所不同。

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