1、定義
TA1鈦圓柱靶是以中國國家標準 GB/T 3620.1 中的 TA1(工業純鈦) 為基礎材料,通過精密加工制成的實心圓柱形濺射靶材。TA1鈦的典型純度為 99.5%,主要雜質為Fe(≤0.20%)、O(≤0.25%)、C(≤0.10%)。通過二次熔煉提純,其純度可提升至 99.9%(3N級),適用于中高功率濺射工藝,為工業耐磨、防腐及裝飾鍍層提供鈦基薄膜。
2、性能特點
基礎性能:
成分:TA1鈦(≥99.5%),雜質含量Fe≤0.20%、O≤0.25%、C≤0.10%。
機械性能:抗拉強度≥345 MPa,延伸率≥20%,硬度HV 120-180。
提純后特性(3N級TA1靶):
純度:≥99.9%(Fe≤0.05%、O≤0.15%、C≤0.03%)。
致密度:≥4.5 g/cm3(接近理論密度4.506 g/cm3)。
耐腐蝕性:在3.5% NaCl溶液中腐蝕速率≤0.005 mm/年。
濺射效率:靶材利用率約50-60%,適配中高功率濺射(≤12 W/cm2)。
3、材質與制造工藝
材質:
基材:TA1工業純鈦(GB/T 3620.1),通過 電子束區域熔煉(EBZM) 提純至3N級。
復合結構:鈦圓柱體與銅/鉬背板真空擴散焊接,提升導熱性(導熱系數≥180 W/m·K)。
制造工藝:
原料提純:
真空自耗電弧熔煉(VAR):去除揮發性雜質(如Cl、S)。
電子束熔煉(EBM):定向凝固,Fe含量降至≤50 ppm。
塑性加工:
熱鍛(950-1000°C)→多道次軋制→退火(消除內應力)。
精密成型:
數控車床加工成圓柱體(直徑50-400 mm,長度200-1500 mm)。
表面鏡面拋光(Ra≤0.6 μm),超聲波清洗去除表面氧化物。
復合焊接:
鈦-銅界面采用 真空熱壓焊(溫度750-850°C,壓力30-50 MPa)。
4.、執行標準
標準類型 | 具體標準 |
國內標準 | GB/T 3620.1(TA1工業純鈦)、GB/T 3621(鈦及鈦合金板材) |
行業規范 | SJ/T 11609-2016(濺射靶材通用技術條件)、JB/T 8554(刀具涂層技術條件) |
國際參考 | ASTM B348(鈦及鈦合金棒材)、ISO 5832-2(醫用鈦材性能參考) |
5、應用領域
工業工具涂層:
硬質合金刀具的 TiN涂層(硬度2000-2200 HV,壽命提升2-3倍)。
注塑模具的 TiCN鍍層(摩擦系數≤0.3,減少脫模劑使用)。
機械部件防護:
液壓活塞桿的 CrTiN復合涂層(耐鹽霧腐蝕≥500小時)。
泵閥部件的 純鈦鍍層(耐海水腐蝕,成本低于哈氏合金)。
裝飾鍍膜:
衛浴五金件的 氮化鈦仿金鍍層(顏色穩定性優于電鍍工藝)。
智能設備外殼的 TiC黑色涂層(防指紋、耐刮擦)。
中端光學鍍膜:
眼鏡鏡片的 抗反射層(400-700 nm波段透過率≥95%)。
LED封裝反射層的 鈦基高反射膜(反射率≥90%)。
6、與其他鈦靶的異同對比
特性 | TA1鈦圓柱靶(3N級) | TA2鈦圓柱靶 | 高純鈦圓柱靶(4N5級) | 鈦合金圓柱靶(Ti6Al4V) |
純度 | 99.9%(Fe≤0.05%) | 99.5%(Fe≤0.20%) | 99.995%(Fe≤0.005%) | 90% Ti + 6% Al + 4% V |
硬度(HV) | 120-180(基材) | 150-200 | 160-220(高純致密化) | 300-350(合金強化) |
耐腐蝕性 | 優(工業級) | 良 | 極優(超低雜質) | 中(Al/V易氧化) |
適用工藝 | 中高功率濺射(≤12 W/cm2) | 中功率濺射(≤10 W/cm2) | 高功率濺射(≤15 W/cm2) | 耐磨涂層(需共濺射Al/V) |
成本 | 中(¥600-1000/kg) | ¥500-800/kg | 高(¥2000-4000/kg) | ¥1000-1500/kg |
典型應用 | 工具涂層、防腐鍍層 | 中端工業涂層 | 半導體/光學鍍膜 | 航空部件耐磨涂層 |
7、選購方法與注意事項
選購方法
純度與雜質控制:
要求供應商提供 ICP-OES檢測報告,確認Fe≤0.05%、O≤0.15%。
若用于氮化鈦(TiN)涂層,需額外控制N含量(≤0.02%)。
微觀結構驗證:
金相檢測:晶粒尺寸≤100 μm,無氣孔、夾雜(氣孔率≤0.3%)。
SEM分析:觀察晶粒分布均勻性,避免局部粗晶(>150 μm)。
幾何精度要求:
直徑公差±0.1 mm,圓柱度≤0.05 mm,表面粗糙度Ra≤0.6 μm。
供應商篩選:
優先選擇具備 VAR+EBM雙熔煉工藝 的廠商,確保雜質定向去除。
驗證是否通過 ISO 9001 認證,并具備復合焊接技術能力。
注意事項
儲存與預處理:
儲存于干燥氮氣柜(濕度<40% RH),開封后需在48小時內安裝使用。
濺射前進行 氬離子轟擊清洗(功率5 W/cm2,時間15分鐘),去除表面吸附氣體。
工藝優化:
TiN涂層:氮氣流量占比30%-50%,基片溫度150-300°C,避免過高溫度導致晶粒粗化。
純鈦鍍層:使用高純氬氣(≥99.999%),濺射氣壓0.3-0.5 Pa。
維護與報廢:
定期檢查靶材損耗(剩余厚度<20%時更換),避免靶材穿孔導致冷卻液泄漏。
報廢TA1靶材可降級用于裝飾鍍層或重熔再生(需檢測雜質增量)。
TA1鈦圓柱靶通過提純工藝在保留工業純鈦成本優勢的同時,顯著提升了純度與濺射性能,成為中端工業涂層的理想選擇。其性價比優于4N5級高純鈦靶,且比TA2鈦靶更適合要求較高的耐磨與防腐應用。選購時需嚴格把控Fe、O雜質含量及晶粒均勻性,應用中需優化濺射氣體比例與基片溫度。對于高精密半導體或光學鍍膜,仍需選用4N5級以上靶材;而在工具強化、通用防腐及裝飾領域,TA1鈦圓柱靶可實現性能與成本的最佳平衡。