高純鈦靶

TA2高純鈦靶通過提純工藝在保留工業(yè)純鈦成本優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，提升了純度與濺射性能，成為中端工業(yè)涂層的理想選擇。其性價(jià)比顯著高于4N5級(jí)高純鈦靶，但薄膜性能（如電阻率、耐高溫性）略遜于后者。選購(gòu)時(shí)需重點(diǎn)把控Fe、O雜質(zhì)含量及晶粒均勻性，應(yīng)用中需優(yōu)化濺射氣體比例與基片溫度。對(duì)于要求嚴(yán)苛的半導(dǎo)體或光學(xué)鍍膜，仍需選用4N5級(jí)以上靶材；而在工具強(qiáng)化、通用防腐領(lǐng)域... 【詳情】

TA1高純鈦靶管通過提純工藝在保留工業(yè)純鈦成本優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，顯著提升了雜質(zhì)控制水平與濺射效率，成為中端鍍膜市場(chǎng)的理想選擇。其性價(jià)比優(yōu)于4N5級(jí)靶管，且比TA2靶管更適合要求較高的耐磨與光學(xué)應(yīng)用。選購(gòu)時(shí)需嚴(yán)格把控純度、幾何精度及供應(yīng)商的工藝成熟度，使用中需優(yōu)化濺射參數(shù)并定期維護(hù)... 【詳情】

異形鈦靶材通過定制化設(shè)計(jì)解決了復(fù)雜結(jié)構(gòu)鍍膜的行業(yè)痛點(diǎn)，盡管初期成本與周期較高，但其在材料利用率、鍍膜精度上的優(yōu)勢(shì)顯著。選購(gòu)時(shí)需緊密協(xié)同設(shè)計(jì)與工藝團(tuán)隊(duì)，優(yōu)先選擇具備增材制造與精密加工能力的供應(yīng)商，并通過小批量試制驗(yàn)證可行性。在半導(dǎo)體3D集成、航空航天高溫涂層等前沿領(lǐng)域... 【詳情】

集成電路（IC）用鈦靶材是通過物理氣相沉積（PVD）工藝（如磁控濺射、離子鍍）在硅基芯片表面沉積鈦薄膜的高純度材料，主要用于導(dǎo)電粘附層、擴(kuò)散阻擋層及接觸孔填充。其核心作用... 【詳情】

產(chǎn)品名稱：鈦靶塊執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)： GB/T2695-1996，ASTM B348-97產(chǎn) 地：陜西寶雞材 質(zhì)：Ti純 度：99.9%-99.99%晶 粒 度：<100um規(guī)格：可以按照用戶需要定制應(yīng)用領(lǐng)域：適用電子、五金、鐘表、眼鏡、... 【詳情】

產(chǎn)品名稱：鈦靶材、鈦多弧靶, 鈦靶塊，鈦塊牌號(hào)：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導(dǎo)體分離器件、平面顯示器、儲(chǔ)存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂... 【詳情】